MMDT3904Q-7-F

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-363-6

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Dual

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

40 V

Collettore-tensione di base VCBO:

60 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

6 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

0.3 V

Corrente massima del collettore CC:

200 mA

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

300 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

MMDT3904Q

Confezione:

Bobina

Marca:

Diodi incorporati

Corrente continua del collettore:

200 mA

Guadagno base/collettore DC hfe min:

30

Pd - Dissipazione di potenza:

200 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Qualificazione:

AEC-Q101

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.000212 oz

Tags

MMDT3904, MMDT390, MMDT3, MMDT, MMD