SSM6K513NU,LF

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Toshiba

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

UDFN6B-6

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

15 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

6.5 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

7.5 nC

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2.5 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.75 mm

Lunghezza:

2 mm

Serie:

SSM6K

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

2 mm

Marca:

Toshiba

Transconduttanza diretta - Min:

6.8 S

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

33 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

28 ns

Unità di peso:

0.000300 oz

Tags

SSM6K51, SSM6K5, SSM6K, SSM6, SSM