DMN12M7UCA10-7

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

X4-DSN3015-10

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

12 V

Id - Corrente di scarico continua:

20.2 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

2.75 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

0.5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

8 V

Qg - Carica cancello:

35.7 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.73 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Marca:

Diodi incorporati

Tempo di caduta:

2830 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

1468 ns

Quantità confezione di fabbrica:

5000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

2914 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

880 ns

Tags

DMN1, DMN