QS8K2TR

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TSMT-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

3.5 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

38 mOhms, 38 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

500 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

12 V

Qg - Carica cancello:

4.6 nC, 4.6 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.5 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Serie:

QS8K2

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Marca:

Semiconduttore ROHM

Tempo di caduta:

13 ns, 13 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

12 ns, 12 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

29 ns, 29 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

8 ns, 8 ns

Parte # Alias:

QS8K2

Tags

QS8K2, QS8K, QS8