SI6433BDQ-T1-GE3

SI6433BDQ-T1-GE3
Mfr. #:
SI6433BDQ-T1-GE3
Produttore:
Vishay
Descrizione:
IGBT Transistors MOSFET 12V 4.8A 1.5W 40mohm @ 4.5V
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
SI6433BDQ-T1-GE3 Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
SI6433BDQ-T1-GE3 DatasheetSI6433BDQ-T1-GE3 Datasheet (P4-P6)
ECAD Model:
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore
VISHAY
categoria di prodotto
FET - Single
Serie
SI6433BDQ
Confezione
Bobina
Alias ​​parziali
SI6433BDQ-GE3
Unità di peso
0.005573 oz
Stile di montaggio
SMD/SMT
Pacchetto-Custodia
TSSOP-8
Tecnologia
si
Numero di canali
1 Channel
Configurazione
Separare
Tipo a transistor
1 P-Channel
Pd-Power-Dissipazione
1.05 W
Massima temperatura di esercizio
+ 150 C
Temperatura di esercizio minima
- 55 C
Tempo di caduta
60 ns
Ora di alzarsi
60 ns
Vgs-Gate-Source-Voltage
8 V
Id-Continuo-Scarico-Corrente
4 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
- 12 V
Rds-On-Drain-Source-Resistenza
40 mOhms
Polarità del transistor
Canale P
Tempo di ritardo allo spegnimento tipico
70 ns
Tempo di ritardo all'accensione tipico
45 ns
Modalità canale
Aumento
Tags
SI6433BDQ-T1, SI6433BDQ-T, SI6433B, SI6433, SI643, SI64, SI6
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et
Trans MOSFET P-CH 12V 4A 8-Pin TSSOP T/R
***nell
P CHANNEL MOSFET, -12V, 4.8A, TSSOP
***i-Key
MOSFET P-CH 12V 4A 8-TSSOP
***ment14 APAC
P CHANNEL MOSFET, -12V, 4.8A, TSSOP; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-4.8A; Drain Source Voltage Vds:-12V; On Resistance Rds(on):70mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:8V; Threshold Voltage Vgs Typ:-1.5V
***ark
Transistor; Transistor Type:MOSFET; Continuous Drain Current, Id:-4800mA; Drain Source Voltage, Vds:-12V; On Resistance, Rds(on):0.07ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:8V; Threshold Voltage, Vgs Typ:-1.5V; Power Dissipation, Pd:1.05W ;RoHS Compliant: Yes
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
SI6433BDQ-T1-GE3
DISTI # SI6433BDQ-T1-GE3TR-ND
Vishay SiliconixMOSFET P-CH 12V 4A 8-TSSOP
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)
Limited Supply - Call
    SI6433BDQ-T1-GE3
    DISTI # SI6433BDQ-T1-GE3CT-ND
    Vishay SiliconixMOSFET P-CH 12V 4A 8-TSSOP
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 1
    Container: Cut Tape (CT)
    Limited Supply - Call
      SI6433BDQ-T1-GE3
      DISTI # SI6433BDQ-T1-GE3DKR-ND
      Vishay SiliconixMOSFET P-CH 12V 4A 8-TSSOP
      RoHS: Compliant
      Min Qty: 1
      Container: Digi-Reel®
      Limited Supply - Call
        SI6433BDQ-T1-GE3
        DISTI # 781-SI6433BDQ-T1-GE3
        Vishay IntertechnologiesMOSFET 12V 4.8A 1.5W 40mohm @ 4.5V
        RoHS: Compliant
        0
          SI6433BDQ-T1-GE3
          DISTI # 1690240
          Vishay IntertechnologiesP CHANNEL MOSFET, -12V, 4.8A, TSSOP
          RoHS: Compliant
          0
          • 10:$1.2800
          • 50:$1.0300
          • 100:$0.8220
          • 500:$0.7130
          • 1000:$0.6170
          • 2500:$0.5730
          Immagine Parte # Descrizione
          SI6433BDQ-T1-E3

          Mfr.#: SI6433BDQ-T1-E3

          OMO.#: OMO-SI6433BDQ-T1-E3

          MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI6423DQ-T1-GE3
          SI6433BDQ-T1-E3

          Mfr.#: SI6433BDQ-T1-E3

          OMO.#: OMO-SI6433BDQ-T1-E3-VISHAY

          IGBT Transistors MOSFET 12V 4.8A 1.5W 40mohm @ 4.5V
          SI6433BDQ-T1-GE3

          Mfr.#: SI6433BDQ-T1-GE3

          OMO.#: OMO-SI6433BDQ-T1-GE3-VISHAY

          IGBT Transistors MOSFET 12V 4.8A 1.5W 40mohm @ 4.5V
          SI6433BDQ

          Mfr.#: SI6433BDQ

          OMO.#: OMO-SI6433BDQ-1190

          Nuovo e originale
          SI6433BDQ-T1

          Mfr.#: SI6433BDQ-T1

          OMO.#: OMO-SI6433BDQ-T1-1190

          Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 12V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
          SI6433BDQ-TI

          Mfr.#: SI6433BDQ-TI

          OMO.#: OMO-SI6433BDQ-TI-1190

          Nuovo e originale
          SI6433BDQT1E3

          Mfr.#: SI6433BDQT1E3

          OMO.#: OMO-SI6433BDQT1E3-1190

          Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 12V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
          Disponibilità
          Azione:
          Available
          Su ordine:
          4000
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          Prezzo di riferimento (USD)
          Quantità
          Prezzo unitario
          est. Prezzo
          1
          0,00 USD
          0,00 USD
          10
          0,00 USD
          0,00 USD
          100
          0,00 USD
          0,00 USD
          500
          0,00 USD
          0,00 USD
          1000
          0,00 USD
          0,00 USD
          A causa della scarsità di semiconduttori dal 2021, il prezzo inferiore è il prezzo normale prima del 2021. Si prega di inviare informazioni per confermare.
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