CGHV1J070D-GP4

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Cree, Inc.

Categoria di prodotto:

Transistor RF JFET

RoHS:

Y

Tipo di transistor:

HEMT

Tecnologia:

GaN

Guadagno:

15 dB

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

120 V

Vgs - Tensione di rottura gate-source:

- 10 V to 2 V

Id - Corrente di scarico continua:

4.5 A

Potenza di uscita:

45 W

Tensione massima della porta di drenaggio:

-

Temperatura di esercizio minima:

- 40 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

-

Stile di montaggio:

Montaggio a vite

Pacchetto/custodia:

440193

Confezione:

Vassoio

Applicazione:

-

Configurazione:

Separare

Altezza:

4.19 mm

Lunghezza:

20.46 mm

Frequenza operativa:

2 GHz to 4 GHz

Intervallo operativo di temperatura:

-

Prodotto:

GaN HEMT

Larghezza:

5.97 mm

Marca:

Wolfspeed / Cree

Transconduttanza diretta - Min:

-

Tensione di interruzione gate-source:

-

Classe:

-

Kit di sviluppo:

CGH40035F-TB

Tempo di caduta:

-

NF - Figura di rumore:

-

P1dB - Punto di compressione:

-

Tipologia di prodotto:

Transistor RF JFET

Rds On - Resistenza Drain-Source:

-

Ora di alzarsi:

-

Quantità confezione di fabbrica:

120

sottocategoria:

transistor

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

-

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

- 3 V

Tags

CGHV1J, CGHV1, CGHV, CGH