BD439G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-225-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

60 V

Collettore-tensione di base VCBO:

60 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

5 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

0.8 V

Corrente massima del collettore CC:

4 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

3 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

BD439

Altezza:

11.04 mm

Lunghezza:

7.74 mm

Confezione:

Massa

Larghezza:

2.66 mm

Marca:

ON Semiconductor

Corrente continua del collettore:

4 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

20

Pd - Dissipazione di potenza:

36 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

500

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.068784 oz

Tags

BD439, BD43, BD4