HUF76629D3ST

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

E

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-252-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

100 V

Id - Corrente di scarico continua:

20 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

41.5 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

16 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

110 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

2.39 mm

Lunghezza:

6.73 mm

Serie:

HUF76629D3S

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Tipo:

MOSFET

Larghezza:

6.22 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Tempo di caduta:

60 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

28 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

67 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

6.8 ns

Parte # Alias:

HUF76629D3ST_NL

Unità di peso:

0.009184 oz

Tags

HUF76629D3ST, HUF76629D3S, HUF7662, HUF766, HUF76, HUF7, HUF