PTFA043002E V1

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

Transistor MOSFET RF

RoHS:

Y

Polarità del transistor:

Canale N

Tecnologia:

si

Id - Corrente di scarico continua:

1.55 A

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

65 V

Rds On - Resistenza Drain-Source:

80 mOhms

Guadagno:

16 dB

Potenza di uscita:

300 W

Temperatura di esercizio minima:

- 40 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

H-30275-4

Confezione:

Vassoio

Configurazione:

Dual

Altezza:

4.55 mm

Lunghezza:

41.15 mm

Frequenza operativa:

470 MHz to 860 MHz

Tipo:

MOSFET di potenza RF

Larghezza:

10.16 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Modalità canale:

Aumento

Pd - Dissipazione di potenza:

761 W

Tipologia di prodotto:

Transistor MOSFET RF

Quantità confezione di fabbrica:

1

sottocategoria:

MOSFET

Vgs - Tensione Gate-Source:

12 V

Parte # Alias:

FA043002EV1XP

Tags

PTFA043002, PTFA043, PTFA04, PTFA0, PTFA, PTF