BSC076N04NDATMA1

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TDSON-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

40 V

Id - Corrente di scarico continua:

20 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

7.6 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

38 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

65 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Serie:

BSC076N04

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Marca:

Tecnologie Infineon

Tempo di caduta:

7 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

4 ns

Quantità confezione di fabbrica:

5000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

22 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

13 ns

Parte # Alias:

BSC076N04ND SP002594330

Tags

BSC076, BSC07, BSC0, BSC