DMG9933USD-13

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SO-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

4.6 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

55 mOhms, 55 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

12 V

Qg - Carica cancello:

6.5 nC, 6.5 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.15 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Prodotto:

MOSFET piccolo segnale

Serie:

DMG9933

Tipo di transistor:

2 P-Channel

Marca:

Diodi incorporati

Tempo di caduta:

22.19 ns, 22.19 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

10.29 ns, 10.29 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

46.52 ns, 46.52 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

12.45 ns, 12.45 ns

Unità di peso:

0.002610 oz

Tags

DMG993, DMG99, DMG9, DMG