2N5785

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore centrale

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-39-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

50 V

Collettore-tensione di base VCBO:

65 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

5 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

750 mV

Corrente massima del collettore CC:

1.2 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

1 MHz

Serie:

2N5785

Guadagno di corrente CC hFE Max:

100

Altezza:

6.6 mm

Lunghezza:

9.4 mm

Confezione:

Massa

Larghezza:

9.4 mm

Marca:

Semiconduttore centrale

Guadagno base/collettore DC hfe min:

20 at 1.2 A, 2 V

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

500

sottocategoria:

transistor

Parte # Alias:

2N5785 PBFREE

Tags

2N578, 2N57, 2N5