FF200R12KE4

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

Moduli IGBT

RoHS:

Y

Prodotto:

Moduli di silicio IGBT

Configurazione:

Dual

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

1200 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

2.05 V

Corrente continua del collettore a 25 C:

240 A

Corrente di dispersione gate-emettitore:

400 nA

Pd - Dissipazione di potenza:

1100 W

Pacchetto/custodia:

62 mm

Temperatura di esercizio minima:

- 40 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Confezione:

Vassoio

Altezza:

30.5 mm

Lunghezza:

106.4 mm

Larghezza:

61.4 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Stile di montaggio:

Montaggio su telaio

Tensione massima dell'emettitore di gate:

20 V

Tipologia di prodotto:

Moduli IGBT

Quantità confezione di fabbrica:

10

sottocategoria:

IGBT

Parte # Alias:

FF200R12KE4HOSA1 SP000370604

Unità di peso:

12 oz

Tags

FF200R12KE4, FF200R12KE, FF200R12K, FF200R12, FF200R1, FF200R, FF200, FF20, FF2