ZXTN19020DGTA

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-223-4

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

20 V

Collettore-tensione di base VCBO:

70 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

7 V

Corrente massima del collettore CC:

9 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

160 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

ZXTN190

Guadagno di corrente CC hFE Max:

300

Altezza:

1.65 mm

Lunghezza:

6.7 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

3.7 mm

Marca:

Diodi incorporati

Guadagno base/collettore DC hfe min:

300 at 100 mA, 2 V, 260 at 2 A, 2 V, 130 at 9 A, 2 V, 50 at 15 A, 2 V

Pd - Dissipazione di potenza:

5300 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.003951 oz

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