DMC1030UFDB-13

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

U-DFN2020-6

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N, Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

12 V

Id - Corrente di scarico continua:

5.1 A, 3.9 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

17 mOhms, 37 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

400 mV, 1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

8 V

Qg - Carica cancello:

23.1 nC, 20.8 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.36 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Tipo di transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Marca:

Diodi incorporati

Tempo di caduta:

4.9 ns, 25.4 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

7.4 ns, 12.8 ns

Quantità confezione di fabbrica:

10000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

18.8 ns, 30.7 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

4.4 ns, 5.6 ns

Unità di peso:

0.000229 oz

Tags

DMC103, DMC10, DMC1, DMC