BLV10

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore avanzato, Inc.

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari RF

RoHS:

Y

Tipo di transistor:

Potenza bipolare

Tecnologia:

si

Polarità del transistor:

NPN

Guadagno base/collettore DC hfe min:

10

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

18 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

4 V

Corrente continua del collettore:

1.5 A

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Configurazione:

Separare

Stile di montaggio:

Montaggio a vite

Pacchetto/custodia:

SOT-123

Confezione:

Vassoio

Frequenza operativa:

175 MHz

Tipo:

Potenza bipolare RF

Marca:

Semiconduttore avanzato, Inc.

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

950 MHz

Corrente massima del collettore CC:

4 A

Pd - Dissipazione di potenza:

20 W

Tipologia di prodotto:

Transistor bipolari RF

sottocategoria:

transistor

Tags

BLV10, BLV1, BLV