NTP5862NG

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-220-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

60 V

Id - Corrente di scarico continua:

98 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

5.7 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

4 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

82 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

115 W

Configurazione:

Separare

Confezione:

Tubo

Prodotto:

MOSFET

Serie:

NTP5862N

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

ON Semiconductor

Transconduttanza diretta - Min:

18 S

Tempo di caduta:

60 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

70 ns

Quantità confezione di fabbrica:

50

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

35 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

18 ns

Unità di peso:

0.211644 oz

Tags

NTP58, NTP5, NTP