SSM3K106TU(T5L,T)

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Toshiba

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

UFM-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

1.2 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

310 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

800 mW

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.7 mm

Lunghezza:

2 mm

Serie:

SSM3K106

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

1.7 mm

Marca:

Toshiba

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

8 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

21 ns

Unità di peso:

0.000233 oz

Tags

SSM3K10, SSM3K1, SSM3K, SSM3, SSM