QS8K21TR

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TSMT-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

45 V

Id - Corrente di scarico continua:

4 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

53 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

4 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

120 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.5 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Serie:

QS8K21

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Marca:

Semiconduttore ROHM

Transconduttanza diretta - Min:

-

Kit di sviluppo:

-

Tempo di caduta:

7 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

25 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

30 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

9 ns

Parte # Alias:

QS8K21

Tags

QS8K2, QS8K, QS8