SI4804BDY-T1-E3

Mfr. #:: SI4804BDY-T1-E3
Produttore:: Vishay
Descrizione:: IGBT Transistors MOSFET 30V 7.5A 2W
Ciclo vitale:: Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:: SI4804BDY-T1-E3 Scheda dati
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HTML Datasheet:: SI4804BDY-T1-E3 Datasheet SI4804BDY-T1-E3 Datasheet (P4-P6)
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Produttore: Vishay Siliconix

categoria di prodotto: FET - Array

Serie: TrinceaFETR

Confezione: Digi-ReelR

Alias parziali: SI4804BDY-E3

Unità di peso: 0.006596 oz

Stile di montaggio: SMD/SMT

Pacchetto-Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Tecnologia: si

Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio: Montaggio superficiale

Numero di canali: 2 Channel

Pacchetto-dispositivo-fornitore: 8-SO

Configurazione: Dual

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)

Potenza-Max: 1.1W

Tipo a transistor: 2 N-Channel

Drain-to-Source-Voltage-Vdss: 30V

Ingresso-Capacità-Ciss-Vds: -

Funzione FET: Porta livello logico

Corrente-Continuo-Scarico-Id-25°C: 5.7A

Rds-On-Max-Id-Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs-th-Max-Id: 3V @ 250μA

Gate-Carica-Qg-Vgs: 11nC @ 4.5V

Pd-Power-Dissipazione: 1.1 W

Massima temperatura di esercizio: + 150 C

Temperatura di esercizio minima: - 55 C

Tempo di caduta: 10 ns

Ora di alzarsi: 10 ns

Vgs-Gate-Source-Voltage: 20 V

Id-Continuo-Scarico-Corrente: 5.7 A

Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage: 30 V

Rds-On-Drain-Source-Resistenza: 22 mOhms

Polarità del transistor: Canale N

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico: 19 ns

Tempo di ritardo all'accensione tipico: 9 ns

Modalità canale: Aumento

Tags: SI4804BDY-T1-E, SI4804BDY-T, SI4804BDY, SI4804BD, SI4804B, SI4804, SI480, SI48, SI4

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SI4804BDY-T1-E3 Descrizione

***th Star Micro: Transistor MOSFET N-CH 30V 5.7A 8-Pin SOIC N T/R

***ark: MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:30V; Continuous Drain Current, Id:7.5A; On Resistance, Rds(on):0.022ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:8-SOIC ;RoHS Compliant: Yes

***nell: MOSFET, NN, REEL 2500; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:Dual N; Voltage, Vds Typ:30V; Current, Id Cont:7.5A; Resistance, Rds On:0.022ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:4.5V; Voltage, Vgs th Typ:3V; Case Style:SOIC; Termination Type:SMD; Current, Idm Pulse:30A; N-channel Gate Charge:7nC; No. of Pins:8; Power, Pd:1.1W; Quantity, Reel:2500; Resistance, Rds on @ Vgs = 10V:0.022ohm; Resistance, Rds on @ Vgs = 10V N Channel:0.022ohm; Resistance, Rds on @ Vgs = 4.5V:0.03ohm; Transistors, No. of:2; Voltage, Vds Max:30V; Width, Tape:12mm

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Parte #	Mfg.	Descrizione	Azione	Prezzo
SI4804BDY-T1-E3 DISTI # SI4804BDY-T1-E3TR-ND	Vishay Siliconix	MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC RoHS: Compliant Min Qty: 2500 Container: Tape & Reel (TR)	Limited Supply - Call
SI4804BDY-T1-E3 DISTI # SI4804BDY-T1-E3CT-ND	Vishay Siliconix	MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC RoHS: Compliant Min Qty: 1 Container: Cut Tape (CT)	Limited Supply - Call
SI4804BDY-T1-E3 DISTI # SI4804BDY-T1-E3DKR-ND	Vishay Siliconix	MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC RoHS: Compliant Min Qty: 1 Container: Digi-Reel®	Limited Supply - Call
SI4804BDY-T1-E3 DISTI # 781-SI4804BDY-E3	Vishay Intertechnologies	MOSFET 30V 7.5A 2W RoHS: Compliant	0
SI4804BDY-T1-E3	Vishay Siliconix	5700 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET	1960	511:$0.3500 90:$0.3920 1:$1.1200
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