IXTT75N10L2

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

IXYS

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-268-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

100 V

Id - Corrente di scarico continua:

75 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

21 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

4.5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

215 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

400 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Tubo

Serie:

IXTT75N10

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

IXYS

Transconduttanza diretta - Min:

53 S, 35 S

Tempo di caduta:

15 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

14 ns

Quantità confezione di fabbrica:

30

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

68 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

23 ns

Unità di peso:

0.229281 oz

Tags

IXTT75N1, IXTT75, IXTT7, IXTT, IXT