NSV40302PDR2G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOIC-8

Polarità del transistor:

NPN, PNP

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

40 V

Collettore-tensione di base VCBO:

40 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

6 V, - 7 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

- 0.17 V

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

100 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

NSS40302P

Guadagno di corrente CC hFE Max:

230

Confezione:

Bobina

Marca:

ON Semiconductor

Corrente continua del collettore:

3 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

150

Pd - Dissipazione di potenza:

653 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Qualificazione:

AEC-Q101

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.002540 oz

Tags

NSV403, NSV40, NSV4, NSV