IPI100N10S3-05

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-262-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

100 V

Id - Corrente di scarico continua:

100 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

4.8 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

300 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Qualificazione:

AEC-Q101

Nome depositato:

OptiMOS

Confezione:

Tubo

Altezza:

9.45 mm

Lunghezza:

10.2 mm

Serie:

OptiMOS-T

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

4.5 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Tempo di caduta:

20 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

17 ns

Quantità confezione di fabbrica:

500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

60 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

34 ns

Parte # Alias:

IPI100N10S305AKSA1 IPI1N1S35XK SP000407128

Unità di peso:

0.073511 oz

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