FDB029N06

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-263-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

60 V

Id - Corrente di scarico continua:

193 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

2.4 mOhms

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

231 W

Configurazione:

Separare

Nome depositato:

PowerTrench

Confezione:

Bobina

Altezza:

4.83 mm

Lunghezza:

10.67 mm

Serie:

FDB029N06

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Tipo:

MOSFET a canale N

Larghezza:

9.65 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconduttanza diretta - Min:

154 S

Tempo di caduta:

33 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

178 ns

Quantità confezione di fabbrica:

800

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

54 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

39 ns

Unità di peso:

0.062153 oz

Tags

FDB02, FDB0, FDB