KSB772OS

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-126-3

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

- 30 V

Collettore-tensione di base VCBO:

- 40 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

- 5 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

- 0.3 V

Corrente massima del collettore CC:

3 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

80 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

KSB772

Guadagno di corrente CC hFE Max:

400

Altezza:

11 mm

Lunghezza:

8 mm

Confezione:

Massa

Larghezza:

3.25 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Corrente continua del collettore:

- 3 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

60

Pd - Dissipazione di potenza:

1000 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

250

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.026843 oz

Tags

KSB772, KSB77, KSB7, KSB