GS84018CGB-200

Mfr. #:: GS84018CGB-200
Produttore:: GSI Technology
Descrizione:: SRAM 2.5 or 3.3V 256K x 18 4M
Ciclo vitale:: Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:: GS84018CGB-200 Scheda dati
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Maggiori informazioni:: GS84018CGB-200 maggiori informazioni

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Produttore:: Tecnologia GSI

Categoria di prodotto:: SRAM

RoHS:: Y

Dimensione della memoria:: 4 Mbit

Organizzazione:: 256 k x 18

Orario di accesso:: 6.5 ns

Frequenza massima di clock:: 200 MHz

Tipo di interfaccia:: Parallelo

Tensione di alimentazione - Max:: 3.6 V

Tensione di alimentazione - Min:: 2.3 V

Corrente di alimentazione - Max:: 130 mA, 155 mA

Temperatura di esercizio minima:: 0 C

Temperatura massima di esercizio:: + 70 C

Stile di montaggio:: SMD/SMT

Pacchetto/custodia:: BGA-119

Confezione:: Vassoio

Tipo di memoria:: SDR

Serie:: GS84018CGB

Tipo:: Conduttura/Flusso passante

Marca:: Tecnologia GSI

Sensibile all'umidità:: sì

Tipologia di prodotto:: SRAM

Quantità confezione di fabbrica:: 84

sottocategoria:: Memoria e archiviazione dati

Nome depositato:: SyncBurst

Tags: GS84018CGB, GS84018CG, GS84018C, GS8401, GS840, GS84, GS8

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GS84018CGB-200 Descrizione

***et: SRAM Chip 4M-bit 256K x 18 200MHz 119-Pin BGA

GS84018CGB-200 Maggiori informazioni

SyncBurst SRAMs: GSI Technology SyncBurst SRAMs are a broad portfolio of Synchronous Burst (SyncBurst™) SRAMs with fast clock rates and low power. SyncBurst SRAMs provide a "burst" of (typically) 2 to 4 words in response to a single clock signal. The devices' simplified interface is designed to use a data bus's maximum bandwidth. SyncBurst SRAMs are used in military, networking, industrial, automotive and medical imaging applications where a mid-range performance point is required.Learn More

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