2ST5949

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

STMicroelectronics

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

250 V

Collettore-tensione di base VCBO:

250 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

6 V

Corrente massima del collettore CC:

17 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

25 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

2ST5949

Guadagno di corrente CC hFE Max:

80

Altezza:

8.7 mm

Lunghezza:

39.5 mm

Confezione:

Massa

Larghezza:

26.2 mm

Marca:

STMicroelectronics

Guadagno base/collettore DC hfe min:

80 at 1 A, 5 V, 35 at 7 A, 5 V

Pd - Dissipazione di potenza:

250000 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

100

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.225789 oz

Tags

2ST5, 2ST