FQD9N08TM

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-252-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

80 V

Id - Corrente di scarico continua:

7.4 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

210 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

25 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2.5 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Altezza:

2.39 mm

Lunghezza:

6.73 mm

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

6.22 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Tempo di caduta:

17 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

28 ns

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

9 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

2.8 ns

Unità di peso:

0.139332 oz

Tags

FQD9N0, FQD9N, FQD9, FQD