MJE18004D2G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-220-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

450 V

Collettore-tensione di base VCBO:

1 kV

Emettitore-tensione di base VEBO:

12 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

0.38 V

Corrente massima del collettore CC:

5 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

13 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Altezza:

9.28 mm (Max)

Lunghezza:

10.28 mm (Max)

Confezione:

Tubo

Larghezza:

4.82 mm (Max)

Marca:

ON Semiconductor

Corrente continua del collettore:

5 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

15

Pd - Dissipazione di potenza:

75 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

50

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.211644 oz

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