IPS65R1K5CEAKMA1

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-251-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

650 V

Id - Corrente di scarico continua:

3.1 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

1.5 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2.5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

10.5 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 40 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

28 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

CoolMOS

Confezione:

Tubo

Altezza:

6.22 mm

Lunghezza:

6.73 mm

Serie:

CoolMOS CE

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

2.38 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Tempo di caduta:

18.2 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

5.9 ns

Quantità confezione di fabbrica:

1500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

33 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

7.7 ns

Parte # Alias:

IPS65R1K5CEAKMA1 SP001276050

Unità di peso:

0.012102 oz

Tags

IPS65R1K5, IPS65R1, IPS65R, IPS65, IPS6, IPS