RS1E200GNTB

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

HSOP-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

20 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

4.6 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2.5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

16.8 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

3 W

Configurazione:

Separare

Confezione:

Bobina

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

Semiconduttore ROHM

Transconduttanza diretta - Min:

18 S

Tempo di caduta:

8.4 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

7.2 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

34.7 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

13.2 ns

Parte # Alias:

RS1E200GN

Unità di peso:

0.002490 oz

Tags

RS1E20, RS1E2, RS1E, RS1