SH8M11TB1

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOP-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N, Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

3.5 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

70 mOhms, 70 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1 V, 2.5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

1.9 nC, 4.2 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Tipo di transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Marca:

Semiconduttore ROHM

Tempo di caduta:

3 ns, 12 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

8 ns, 18 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

18 ns, 35 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

4 ns, 9 ns

Tags

SH8M11T, SH8M11, SH8M1, SH8M, SH8