QS5W1TR

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-25T-5

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Dual

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

30 V

Collettore-tensione di base VCBO:

30 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

6 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

200 mV

Corrente massima del collettore CC:

3 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

270 MHz

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Guadagno di corrente CC hFE Max:

500 at 500 mA, 2 V

Confezione:

Bobina

Marca:

Semiconduttore ROHM

Corrente continua del collettore:

3 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

200 at 500 mA, 2 V

Pd - Dissipazione di potenza:

1.25 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

transistor

Parte # Alias:

QS5W1

Tags

QS5W, QS5