QS5U13TR

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TSMT-5

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

2 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

110 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

12 V

Temperatura di esercizio minima:

- 50 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

900 mW

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.85 mm

Lunghezza:

2.9 mm

Prodotto:

MOSFET piccolo segnale

Serie:

QS5U13

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Tipo:

MOSFET

Larghezza:

1.6 mm

Marca:

Semiconduttore ROHM

Tempo di caduta:

10 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

10 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

21 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

8 ns

Parte # Alias:

QS5U13

Unità di peso:

0.000494 oz

Tags

QS5U1, QS5U, QS5