CGH55015F2

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Cree, Inc.

Categoria di prodotto:

Transistor RF JFET

RoHS:

Y

Tipo di transistor:

HEMT

Tecnologia:

GaN

Guadagno:

12 dB

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

120 V

Vgs - Tensione di rottura gate-source:

- 10 V to 2 V

Id - Corrente di scarico continua:

1.5 A

Potenza di uscita:

10 W

Tensione massima della porta di drenaggio:

-

Temperatura di esercizio minima:

- 40 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

-

Stile di montaggio:

Montaggio a vite

Pacchetto/custodia:

440166

Confezione:

Vassoio

Applicazione:

-

Configurazione:

Separare

Altezza:

3.43 mm

Lunghezza:

14.09 mm

Frequenza operativa:

4.5 GHz to 6 GHz

Intervallo operativo di temperatura:

-

Prodotto:

GaN HEMT

Larghezza:

4.19 mm

Marca:

Wolfspeed / Cree

Transconduttanza diretta - Min:

-

Tensione di interruzione gate-source:

-

Classe:

-

Tempo di caduta:

-

NF - Figura di rumore:

-

P1dB - Punto di compressione:

-

Tipologia di prodotto:

Transistor RF JFET

Rds On - Resistenza Drain-Source:

-

Ora di alzarsi:

-

Quantità confezione di fabbrica:

60

sottocategoria:

transistor

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

-

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

- 3 V

Unità di peso:

0.017637 oz

Tags

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