NSS40200UW6T1G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-23-3

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

- 40 V

Collettore-tensione di base VCBO:

- 40 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

7 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

- 0.1 V

Corrente massima del collettore CC:

2 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

140 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

NSS40200UW6T1G

Altezza:

0.75 mm

Lunghezza:

2 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

2 mm

Marca:

ON Semiconductor

Corrente continua del collettore:

- 2 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

250

Pd - Dissipazione di potenza:

875 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.000282 oz

Tags

NSS40200, NSS402, NSS40, NSS4, NSS