NDT01N60T1G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-223-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

600 V

Id - Corrente di scarico continua:

400 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

8.5 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

3.3 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

30 V

Qg - Carica cancello:

7.2 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2.5 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Serie:

NDT01N60

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

ON Semiconductor

Tempo di caduta:

21.3 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

5.1 ns

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

16.5 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

8 ns

Unità di peso:

0.008818 oz

Tags

NDT01, NDT0, NDT