IPI90R1K2C3

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-262-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

900 V

Id - Corrente di scarico continua:

5.1 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

1.2 Ohms

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

83 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

CoolMOS

Confezione:

Tubo

Altezza:

9.45 mm

Lunghezza:

10.2 mm

Serie:

CoolMOS C3

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

4.5 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Tempo di caduta:

40 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

20 ns

Quantità confezione di fabbrica:

500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

400 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

70 ns

Parte # Alias:

IPI90R1K2C3XKSA1 IPI9R1K2C3XK SP000683080

Unità di peso:

0.084199 oz

Tags

IPI90R1K2, IPI90R1, IPI90R, IPI9, IPI