BSH108,215

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Nexperia

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-23-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

1.9 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

120 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

6.4 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

830 mW

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

1 mm

Lunghezza:

3 mm

Prodotto:

MOSFET piccolo segnale

Tipo di transistor:

1 N-Channel MOSFET

Larghezza:

1.4 mm

Marca:

Nexperia

Transconduttanza diretta - Min:

2 S

Tempo di caduta:

26 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

8 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

15 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

3 ns

Parte # Alias:

BSH108 T/R

Unità di peso:

0.000282 oz

Tags

BSH108, BSH10, BSH1, BSH