NTMFS4821NT1G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SO-FL-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

58.5 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

8.4 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.8 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

25 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

38.5 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.05 mm

Lunghezza:

4.9 mm

Serie:

NTMFS4821N

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

5.8 mm

Marca:

ON Semiconductor

Transconduttanza diretta - Min:

54 S

Tempo di caduta:

3.8 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

38 ns

Quantità confezione di fabbrica:

1500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

16.6 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

13.3 ns

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