IXTP1N80P

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

IXYS

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-220-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

800 V

Id - Corrente di scarico continua:

1 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

10 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

4 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

9 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

42 W

Configurazione:

Separare

Confezione:

Tubo

Serie:

IXTP1N80

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

IXYS

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Quantità confezione di fabbrica:

50

sottocategoria:

MOSFET

Unità di peso:

0.081130 oz

Tags

IXTP1N, IXTP1, IXTP, IXT