RN1111(TE85L,F)

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Toshiba

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - Pre-polarizzati

RoHS:

Y

Configurazione:

Separare

Polarità del transistor:

NPN

Resistenza di ingresso tipica:

10 kOhms

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SSM-3

Guadagno base/collettore DC hfe min:

120

Frequenza operativa massima:

250 MHz

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

50 V

Corrente continua del collettore:

100 mA

Corrente di picco del collettore CC:

100 mA

Pd - Dissipazione di potenza:

100 mW

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

RN1111

Confezione:

Bobina

Collettore-tensione di base VCBO:

50 V

Guadagno di corrente CC hFE Max:

700

Emettitore-tensione di base VEBO:

5 V

Intervallo operativo di temperatura:

- 55 C to + 150 C

Marca:

Toshiba

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari - Prepolarizzati

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

transistor

Tags

RN1111, RN111, RN11, RN1