STY80NM60N

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

STMicroelectronics

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

Max247-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

600 V

Id - Corrente di scarico continua:

74 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

35 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

25 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

447 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Tubo

Altezza:

20.3 mm

Lunghezza:

15.9 mm

Serie:

STY80NM60N

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

5.3 mm

Marca:

STMicroelectronics

Tempo di caduta:

200 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

65 ns

Quantità confezione di fabbrica:

600

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

440 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

50 ns

Unità di peso:

1.340411 oz

Tags

STY8, STY