IXFH70N20Q3

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

IXYS

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-247-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

200 V

Id - Corrente di scarico continua:

70 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

40 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

30 V

Qg - Carica cancello:

67 nC

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

690 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

HiPerFET

Confezione:

Tubo

Serie:

IXFH70N20

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

IXYS

Transconduttanza diretta - Min:

32 S

Tempo di caduta:

9 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

10 ns

Quantità confezione di fabbrica:

30

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

24 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

17 ns

Unità di peso:

0.056438 oz

Tags

IXFH70, IXFH7, IXFH, IXF