FCB070N65S3

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-263-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

650 V

Id - Corrente di scarico continua:

44 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

70 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2.5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

78 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

312 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

SuperFET III

Confezione:

Bobina

Altezza:

4.83 mm

Lunghezza:

10.67 mm

Serie:

FCB070N65S3

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

9.65 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconduttanza diretta - Min:

29 S

Tempo di caduta:

16 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

52 ns

Quantità confezione di fabbrica:

800

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

89 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

26 ns

Unità di peso:

0.046296 oz

Tags

FCB0, FCB