FDMC7200

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

Power-33-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

6 A, 8 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

10 mOhms, 19 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2.3 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

3.1 nC, 7 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.9 W, 2.2 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

PowerTrench

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.8 mm

Lunghezza:

3 mm

Serie:

FDMC7200

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Larghezza:

3 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconduttanza diretta - Min:

29 S, 56 S

Tempo di caduta:

1.3 ns, 6 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

3.1 ns, 4 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

35 ns, 38 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

11 ns, 13 ns

Unità di peso:

0.006561 oz

Tags

FDMC7200, FDMC72, FDMC7, FDMC, FDM