FDS3601

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SO-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

100 V

Id - Corrente di scarico continua:

1.3 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

480 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.75 mm

Lunghezza:

4.9 mm

Serie:

FDS3601

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Tipo:

MOSFET

Larghezza:

3.9 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconduttanza diretta - Min:

3.6 S

Tempo di caduta:

6 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

4 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

11 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

8 ns

Parte # Alias:

FDS3601_NL

Unità di peso:

0.008127 oz

Tags

FDS360, FDS36, FDS3, FDS