IRG4BC30SPBF

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

Transistor IGBT

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Pacchetto/custodia:

TO-220-3

Stile di montaggio:

Foro passante

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

600 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

1.4 V

Tensione massima dell'emettitore di gate:

20 V

Corrente continua del collettore a 25 C:

34 A

Pd - Dissipazione di potenza:

100 W

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Confezione:

Tubo

Corrente continua del collettore Ic Max:

34 A

Altezza:

8.77 mm

Lunghezza:

10.54 mm

Larghezza:

4.69 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Corrente di dispersione gate-emettitore:

100 nA

Tipologia di prodotto:

Transistor IGBT

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

IGBT

Parte # Alias:

SP001535662

Unità di peso:

0.211644 oz

Tags

IRG4BC30S, IRG4BC3, IRG4BC, IRG4B, IRG4, IRG