2N3013

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore centrale

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-18-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

15 V

Collettore-tensione di base VCBO:

40 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

5 V

Corrente massima del collettore CC:

0.2 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

350 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

2N3013

Altezza:

5.33 mm

Lunghezza:

5.84 mm

Larghezza:

5.84 mm

Marca:

Semiconduttore centrale

Guadagno base/collettore DC hfe min:

15

Pd - Dissipazione di potenza:

360 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

2000

sottocategoria:

transistor

Tags

2N3013, 2N301, 2N30, 2N3