ARF475FL

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Microchip

Categoria di prodotto:

Transistor MOSFET RF

RoHS:

Y

Polarità del transistor:

Canale N

Tecnologia:

si

Id - Corrente di scarico continua:

10 A

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

500 V

Guadagno:

15 dB

Potenza di uscita:

900 W

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Confezione:

Scatola

Frequenza operativa:

150 MHz

Intervallo operativo di temperatura:

- 55 C to + 175 C

Tipo:

MOSFET di potenza RF

Marca:

Microchip / Microsemi

Transconduttanza diretta - Min:

3 mS

Tempo di caduta:

4 ns

Pd - Dissipazione di potenza:

910 W

Tipologia di prodotto:

Transistor MOSFET RF

Ora di alzarsi:

4.1 ns

Quantità confezione di fabbrica:

1

sottocategoria:

MOSFET

Vgs - Tensione Gate-Source:

30 V

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

3.3 V

Tags

ARF47, ARF4, ARF